رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSP321PL6327HTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSP321PL6327HTSA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 980mA (Tc) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
المخزون:
12850620
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSP321PL6327HTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
980mA (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
900mOhm @ 980mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 380µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
319 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT223-4-21
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
BSP321P L6327-DG
BSP321PL6327HTSA1TR
SP000212228
BSP321P L6327
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSP321PH6327XTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
875
DiGi رقم الجزء
BSP321PH6327XTSA1-DG
سعر الوحدة
0.43
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
