رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSP716NH6327XTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSP716NH6327XTSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 2.3A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
المخزون:
12801097
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSP716NH6327XTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
160mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.8V @ 218µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13.1 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
315 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT223-4
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
BSP716
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
ROCINFBSP716NH6327XTSA1
SP001087514
BSP716NH6327XTSA1-DG
BSP716NH6327XTSA1TR
BSP716NH6327XTSA1CT
2156-BSP716NH6327XTSA1
BSP716NH6327XTSA1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDT86106LZ
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
22653
DiGi رقم الجزء
FDT86106LZ-DG
سعر الوحدة
0.48
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD65R1K5CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3
IPB120N06S402ATMA2
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
IPD10N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
