رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSR302NL6327HTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSR302NL6327HTSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 3.7A SC59
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 3.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SC59-3
المخزون:
12830737
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSR302NL6327HTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
23mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 30µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.6 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
750 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SC59-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSR302NL6327HTSA1CT
IFEINFBSR302NL6327HTSA1
BSR302N L6327-DG
BSR302N L6327CT
BSR302N L6327TR-DG
BSR302N L6327CT-DG
BSR302N L6327DKR-DG
BSR302NL6327HTSA1DKR
2156-BSR302NL6327HTSA1
BSR302N L6327
BSR302NL6327HTSA1TR
BSR302N L6327DKR
BSR302NL6327
SP000257785
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PMV45EN2R
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
62436
DiGi رقم الجزء
PMV45EN2R-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PSMN4R0-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
BSH111BKR
MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
BUK9209-40B,118
MOSFET N-CH 40V 75A DPAK
