رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSR315PL6327HTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSR315PL6327HTSA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 620mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SC59-3
المخزون:
12799141
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSR315PL6327HTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
620mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
800mOhm @ 620mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 160µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
176 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SC59-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSR315PL6327HTSA1TR
BSR315P L6327-DG
BSR315P L6327
SP000265405
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
ZXMP6A13FTA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
31515
DiGi رقم الجزء
ZXMP6A13FTA-DG
سعر الوحدة
0.15
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
BSR315PH6327XTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
31267
DiGi رقم الجزء
BSR315PH6327XTSA1-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
AUIRF1404ZL
MOSFET N-CH 40V 160A TO262
BSZ0909NSATMA1
MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON
