الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSS119L6327HTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSS119L6327HTSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12800926
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSS119L6327HTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
170mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
78 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT23
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
BSS119L6327HTSA1
ورقة بيانات HTML
BSS119L6327HTSA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSS119 L6327-DG
BSS119L6327HTSA1TR
SP000247290
BSS119 L6327
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSS123L
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
BSS123L-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
BSS123
المُصنِّع
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
الكمية المتاحة
143884
DiGi رقم الجزء
BSS123-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
BSS123,215
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
145643
DiGi رقم الجزء
BSS123,215-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
BSS123-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
288176
DiGi رقم الجزء
BSS123-7-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
ZVN3310FTA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
6862
DiGi رقم الجزء
ZVN3310FTA-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB080N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
IPD50N04S410ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
IPB65R190CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
IPD50N06S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3