رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSS127H6327XTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSS127H6327XTSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
المخزون:
12802209
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSS127H6327XTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
500Ohm @ 16mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.6V @ 8µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
28 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT23
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSS127 H6327
BSS127 H6327-DG
SP000705718
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AO3162
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
17918
DiGi رقم الجزء
AO3162-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
BSS127H6327XTSA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
101483
DiGi رقم الجزء
BSS127H6327XTSA2-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSL802SNL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
BSO104N03S
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
