رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSS159NH6906XTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSS159NH6906XTSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
المخزون:
19956 قطع جديدة أصلية في المخزون
12799017
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSS159NH6906XTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
230mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
0V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 26µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.9 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
44 pF @ 25 V
ميزة FET
Depletion Mode
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT23
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
BSS159
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSS159N H6906TR-DG
BSS159NH6906XTSA1DKR
BSS159NH6906XTSA1CT
BSS159N H6906DKR-DG
BSS159NH6906XTSA1TR
BSS159N H6906CT-DG
BSS159NH6906
2156-BSS159NH6906XTSA1TR
BSS159N H6906-DG
BSS159N H6906CT
BSS159N H6906
SP000702636
BSS159N H6906DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSC014NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
BSO303SPNTMA1
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8DSO
BSS314PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3