رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSS169IXTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSS169IXTSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT-23-3
المخزون:
5868 قطع جديدة أصلية في المخزون
12958961
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSS169IXTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
190mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
0V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.9Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.8V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.1 nC @ 7 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
51 pF @ 25 V
ميزة FET
Depletion Mode
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
448-BSS169IXTSA1TR
448-BSS169IXTSA1CT
2156-BSS169IXTSA1
448-BSS169IXTSA1DKR
SP005558635
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SUP90100E-GE3
N-CHANNEL 200 V (D-S) MOSFET TO-
IRFPC50APBF
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
SQJ152EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
