رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSS340NWH6327XTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSS340NWH6327XTSA1-DG
وصف:
SMALL SIGNAL+N-CH
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 880mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-TO252-3
المخزون:
12847974
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSS340NWH6327XTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™ 2
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
880mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
400mOhm @ 880mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 1.6µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.7 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
41 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2156-BSS340NWH6327XTSA1-448
SP001385374
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SQ2364EES-T1_GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
19217
DiGi رقم الجزء
SQ2364EES-T1_GE3-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PMF250XNEX
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
115049
DiGi رقم الجزء
PMF250XNEX-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQPF6N80CT
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F
NVMFS5C430NWFAFT3G
MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
FDB8860
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
