رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSS87H6327FTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSS87H6327FTSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
وصف تفصيلي:
N-Channel 240 V 260mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89-4-2
المخزون:
25607 قطع جديدة أصلية في المخزون
12801056
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSS87H6327FTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
240 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
260mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6Ohm @ 260mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.8V @ 108µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
97 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT89-4-2
العبوة / العلبة
TO-243AA
رقم المنتج الأساسي
BSS87
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
BSS87H6327FTSA1DKR
BSS87H6327FTSA1TR
BSS87H6327FTSA1CT
SP001047646
BSS87H6327FTSA1-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSR802NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
IPB200N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
IPI320N20N3GAKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
