رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSZ033NE2LS5ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSZ033NE2LS5ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
المخزون:
13064033
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSZ033NE2LS5ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
التغليف
Tape & Reel (TR)
حالة الجزء
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Ta), 40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1230 pF @ 12 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.1W (Ta), 30W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TSDSON-8-FL
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSZ033
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
448-BSZ033NE2LS5ATMA1DKR
448-BSZ033NE2LS5ATMA1TR
448-BSZ033NE2LS5ATMA1CT
BSZ033NE2LS5ATMA1-ND
SP001288158
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
CSD16403Q5A
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
15044
DiGi رقم الجزء
CSD16403Q5A-DG
سعر الوحدة
0.63
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUZ30A
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
IPB039N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
IRFB3306PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
