رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSZ039N06NSATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSZ039N06NSATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
المخزون:
3059 قطع جديدة أصلية في المخزون
13276410
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSZ039N06NSATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
18A (Ta), 40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.3V @ 36µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2500 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TSDSON-8-FL
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSZ039
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
448-BSZ039N06NSATMA1DKR
SP002035226
448-BSZ039N06NSATMA1CT
448-BSZ039N06NSATMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB60R360CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3
IRFP450PBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
IPP60R160P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1
