رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSZ0702LSATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSZ0702LSATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 17A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
المخزون:
12943196
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSZ0702LSATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17A (Ta), 40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 36µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3100 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8 FL
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSZ0702
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
448-BSZ0702LSATMA1CT
448-BSZ0702LSATMA1TR
448-BSZ0702LSATMA1DKR
SP001614090
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
ISZ0702NLSATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
8650
DiGi رقم الجزء
ISZ0702NLSATMA1-DG
سعر الوحدة
0.43
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
UPA2821T1L-E1-AT
MOSFET N-CH 30V 26A 8HWSON
IRF740L
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
IQDH29NE2LM5CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR