رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSZ086P03NS3EGATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSZ086P03NS3EGATMA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
المخزون:
6713 قطع جديدة أصلية في المخزون
12853887
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSZ086P03NS3EGATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13.5A (Ta), 40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.1V @ 105µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
57.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4785 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TSDSON-8
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSZ086
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
BSZ086P03NS3E GCT-DG
BSZ086P03NS3EGATMA1DKR
BSZ086P03NS3EG
BSZ086P03NS3EGATMA1CT
BSZ086P03NS3E G-DG
SP000473016
BSZ086P03NS3E GDKR-DG
BSZ086P03NS3E G
BSZ086P03NS3E GCT
BSZ086P03NS3E GDKR
BSZ086P03NS3E GTR-DG
BSZ086P03NS3EGATMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SK3481-AZ
MOSFET N-CH 100V 30A TO220AB
BSC220N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
HAT2198RWS-E
IC MCU 16BIT