رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSZ096N10LS5ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSZ096N10LS5ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 40A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
المخزون:
10669 قطع جديدة أصلية في المخزون
12837113
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSZ096N10LS5ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™ 5
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 36µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2100 pF @ 50 V
ميزة FET
Standard
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
69W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TSDSON-8-FL
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSZ096
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
448-BSZ096N10LS5ATMA1CT
BSZ096N10LS5ATMA1-DG
448-BSZ096N10LS5ATMA1DKR
SP001352994
448-BSZ096N10LS5ATMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HUFA75345S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
FDS6570A
MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC
FDB075N15A
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
