رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSZ130N03LSGATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSZ130N03LSGATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 10A (Ta), 35A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
المخزون:
28939 قطع جديدة أصلية في المخزون
12799085
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSZ130N03LSGATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Ta), 35A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
13mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
970 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.1W (Ta), 25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TSDSON-8
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSZ130
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
BSZ130N03LSGATMA1DKR
BSZ130N03LSGINCT
BSZ130N03LSGINCT-DG
BSZ130N03LSGINTR-DG
BSZ130N03LSGINDKR-DG
BSZ130N03LS G
BSZ130N03LSGATMA1CT
BSZ130N03LSGXT
BSZ130N03LSGINDKR
BSZ130N03LSG
SP000278810
BSZ130N03LSGATMA1TR
BSZ130N03LSGINTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSP135H6433XTMA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
BSO200P03SHXUMA1
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
BSS84PL6433HTMA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
