رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSZ130N03MSGATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSZ130N03MSGATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 9A (Ta), 35A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
المخزون:
16290 قطع جديدة أصلية في المخزون
12800985
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSZ130N03MSGATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Ta), 35A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1300 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.1W (Ta), 25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TSDSON-8
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSZ130
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
2156-BSZ130N03MSGATMA1
BSZ130N03MSGINCT
BSZ130N03MSGATMA1TR
BSZ130N03MS G
BSZ130N03MSGATMA1DKR
SP000313122
BSZ130N03MSGINDKR
INFINFBSZ130N03MSGATMA1
BSZ130N03MSG
BSZ130N03MSGINDKR-DG
BSZ130N03MSGATMA1CT
BSZ130N03MSGATMA1-DG
BSZ130N03MSGINTR
BSZ130N03MSGXT
BSZ130N03MSGINCT-DG
BSZ130N03MSGINTR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPA60R750E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-FP
IPB60R165CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
IPB023N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
