رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSZ520N15NS3GATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSZ520N15NS3GATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 21A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
المخزون:
15785 قطع جديدة أصلية في المخزون
12799752
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSZ520N15NS3GATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
8V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
52mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 35µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
890 pF @ 75 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
57W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TSDSON-8
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSZ520
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
BSZ520N15NS3 GDKR
BSZ520N15NS3GATMA1DKR
BSZ520N15NS3 GTR
BSZ520N15NS3 GTR-DG
BSZ520N15NS3G
BSZ520N15NS3 G-DG
BSZ520N15NS3 GCT-DG
BSZ520N15NS3 GDKR-DG
BSZ520N15NS3GATMA1CT
BSZ520N15NS3GATMA1TR
SP000607022
BSZ520N15NS3 GCT
BSZ520N15NS3 G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPC90N04S5L3R3ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34
BSS127L6327HTSA1
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
BSC016N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
