رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BTS244ZE3062AATMA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BTS244ZE3062AATMA2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 35A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount PG-TO263-5-2
المخزون:
1681 قطع جديدة أصلية في المخزون
12799760
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BTS244ZE3062AATMA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TEMPFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
35A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
13mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 130µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2660 pF @ 25 V
ميزة FET
Temperature Sensing Diode
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
170W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-5-2
العبوة / العلبة
TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
رقم المنتج الأساسي
BTS244
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
448-BTS244ZE3062AATMA2DKR
448-BTS244ZE3062AATMA2CT
2156-BTS244ZE3062AATMA2
448-BTS244ZE3062AATMA2TR
INFINFBTS244ZE3062AATMA2
SP000910844
BTS244ZE3062AATMA2-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSP135L6327HTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
IPA60R099P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO220
BSO301SPHXUMA1
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
