رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IAUC120N04S6L012ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IAUC120N04S6L012ATMA1-DG
وصف:
IAUC120N04S6L012ATMA1
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
المخزون:
33164 قطع جديدة أصلية في المخزون
12983197
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IAUC120N04S6L012ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.21mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 60µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4832 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
115W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
IAUC120
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
448-IAUC120N04S6L012ATMA1TR
448-IAUC120N04S6L012ATMA1DKR
448-IAUC120N04S6L012ATMA1CT
SP001790492
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK190U65Z,RQ
DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
AUIRFZ48Z
MOSFET N-CH 55V 61A TO220
3N163 SOT-143 4L ROHS
P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO
