رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IAUCN04S7N006ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IAUCN04S7N006ATMA1-DG
وصف:
MOSFET_(20V 40V)
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 175A Surface Mount PG-TDSON-8-43
المخزون:
13269137
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IAUCN04S7N006ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™ 7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
175A
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
-
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8-43
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
SP005754389
448-IAUCN04S7N006ATMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN6041SVTQ-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
IRFB4228PBFXKMA1
TRENCH >=100V
IMDQ75R016M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET