رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IAUT150N10S5N035ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IAUT150N10S5N035ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 150A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
المخزون:
7538 قطع جديدة أصلية في المخزون
12801563
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IAUT150N10S5N035ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™-5
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
150A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.8V @ 110µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6110 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
166W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-HSOF-8-1
العبوة / العلبة
8-PowerSFN
رقم المنتج الأساسي
IAUT150
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
IAUT150N10S5N035
IAUT150N10S5N035ATMA1TR
IAUT150N10S5N035DKR
IAUT150N10S5N035TR
SP001416126
IFEINFIAUT150N10S5N035ATMA1
IAUT150N10S5N035CT
IAUT150N10S5N035ATMA1DKR
IAUT150N10S5N035ATMA1CT
2156-IAUT150N10S5N035ATMA1
IAUT150N10S5N035ATMA1-DG
IAUT150N10S5N035DKR-DG
IAUT150N10S5N035CT-DG
IAUT150N10S5N035TR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD70R1K4CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
IPD70N12S311ATMA1
MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
IPI120N10S405AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3