رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IAUT200N08S5N023ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IAUT200N08S5N023ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 200A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
المخزون:
2485 قطع جديدة أصلية في المخزون
12799255
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IAUT200N08S5N023ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™-5
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
200A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.8V @ 130µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7670 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
200W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-HSOF-8-1
العبوة / العلبة
8-PowerSFN
رقم المنتج الأساسي
IAUT200
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
IAUT200N08S5N023ATMA1TR
IAUT200N08S5N023CT-DG
IAUT200N08S5N023DKR
IAUT200N08S5N023TR-DG
IAUT200N08S5N023
2156-IAUT200N08S5N023ATMA1
IAUT200N08S5N023DKR-DG
IAUT200N08S5N023ATMA1DKR
IAUT200N08S5N023ATMA1CT
IAUT200N08S5N023CT
IFEINFIAUT200N08S5N023ATMA1
IAUT200N08S5N023TR
SP001688332
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSZ0506NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
BSC050NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
IPA65R600C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220