رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IGLR60R260D1XUMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IGLR60R260D1XUMA1-DG
وصف:
GAN HV
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 10.4A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-7
المخزون:
4978 قطع جديدة أصلية في المخزون
13002465
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IGLR60R260D1XUMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolGaN™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.6V @ 690µA
Vgs (ماكس)
-10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
110 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
52W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TSON-8-7
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
448-IGLR60R260D1XUMA1CT
448-IGLR60R260D1XUMA1TR
448-IGLR60R260D1XUMA1DKR
SP005635199
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB015N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V
G900P15T
P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
GT045N10T
N100V, 150A,RD<4.8M@10V,VTH2V~4V
