رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IMW120R140M1HXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IMW120R140M1HXKSA1-DG
وصف:
SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 19A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
المخزون:
207 قطع جديدة أصلية في المخزون
12800710
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IMW120R140M1HXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolSiC™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
15V, 18V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
182mOhm @ 6A, 18V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.7V @ 2.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13 nC @ 18 V
Vgs (ماكس)
+23V, -7V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
454 pF @ 800 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
94W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-3-41
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IMW120
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
SP001946184
448-IMW120R140M1HXKSA1
IMW120R140M1HXKSA1-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD60R650CEAUMA1
CONSUMER
IPC50R045CPX1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPB90N06S4L04ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
