رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IMW120R350M1HXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IMW120R350M1HXKSA1-DG
وصف:
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
المخزون:
1216 قطع جديدة أصلية في المخزون
12799581
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IMW120R350M1HXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolSiC™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
15V, 18V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
455mOhm @ 2A, 18V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.7V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.3 nC @ 18 V
Vgs (ماكس)
+23V, -7V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
182 pF @ 800 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
60W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-3-41
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IMW120
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
SP001808376
2156-IMW120R350M1HXKSA1-448
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPA65R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
IPB042N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
IPA50R500CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 5.4A TO220
