رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IMZ120R060M1HXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IMZ120R060M1HXKSA1-DG
وصف:
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
وصف تفصيلي:
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
المخزون:
445 قطع جديدة أصلية في المخزون
12800093
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IMZ120R060M1HXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolSiC™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
SiCFET (Silicon Carbide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
36A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
15V, 18V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
78mOhm @ 13A, 18V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.7V @ 5.6mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
31 nC @ 18 V
Vgs (ماكس)
+23V, -7V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1060 pF @ 800 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO247-4-1
العبوة / العلبة
TO-247-4
رقم المنتج الأساسي
IMZ120
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
IMZ120R060M1HXKSA1-DG
448-IMZ120R060M1HXKSA1
SP001808370
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPA95R1K2P7XKSA1
MOSFET N-CH 950V 6A TO220
BUZ73LHXKSA1
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
BSO300N03S
MOSFET N-CH 30V 5.7A 8DSO