رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPA030N10N3GXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPA030N10N3GXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 79A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
المخزون:
12840602
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPA030N10N3GXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
79A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3mOhm @ 79A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 270µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
14800 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
41W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
IPA030
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
SP000464914
448-IPA030N10N3GXKSA1
IPA030N10N3 G
IPA030N10N3G
IPA030N10N3 G-DG
IPA030N10N3GXKSA1-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTMFS4C302NT1G
MOSFET N-CH 30V 41A/230A 5DFN
NVMFS6B03NWFT3G
MOSFET N-CH 100V 132A 5DFN
MTD6N15T4GV
MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
