رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPA045N10N3GXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPA045N10N3GXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 64A (Tc) 39W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
المخزون:
177 قطع جديدة أصلية في المخزون
13064154
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPA045N10N3GXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
OptiMOS™
التغليف
Tube
حالة الجزء
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
64A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.5mOhm @ 64A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 150µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8410 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
39W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
IPA045
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP000478912
IPA045N10N3G
IPA045N10N3 G
IPA045N10N3 G-ND
IPA045N10N3GXKSA1-ND
448-IPA045N10N3GXKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFS7730TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
IPP50R190CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3
IRLI520NPBF
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FP
