رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPA060N06NXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPA060N06NXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 45A TO220-FP
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 45A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
المخزون:
412 قطع جديدة أصلية في المخزون
12805046
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPA060N06NXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
45A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.3V @ 36µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2500 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
33W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
IPA060
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP001099646
INFINFIPA060N06NXKSA1
2156-IPA060N06NXKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFSL4229PBF
MOSFET N-CH 250V 45A TO262
IRF9328TRPBF
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
IRF9Z24NLPBF
MOSFET P-CH 55V 12A TO262