رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPA600N25NM3SXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPA600N25NM3SXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 15A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 15A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
المخزون:
404 قطع جديدة أصلية في المخزون
13276417
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPA600N25NM3SXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
OptiMOS™3
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 89µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2300 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
38W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220 Full Pack
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
IPA600
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
2156-IPA600N25NM3SXKSA1-448
SP001953008
448-IPA600N25NM3SXKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPAN60R360P7SXKSA1
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
IPLK80R1K2P7ATMA1
MOSFET 800V TDSON-8
BSC096N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6
