رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPA60R280P6XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPA60R280P6XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 13.8A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
المخزون:
477 قطع جديدة أصلية في المخزون
12799999
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPA60R280P6XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ P6
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
280mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 430µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1190 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
32W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
IPA60R280
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-IPA60R280P6XKSA1
ROCINFIPA60R280P6XKSA1
SP001017076
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD50N04S408ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
IPP100N06S2L05AKSA1
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
IPB65R420CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A D2PAK