رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPA60R360P7SXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPA60R360P7SXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
المخزون:
3734 قطع جديدة أصلية في المخزون
12799479
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPA60R360P7SXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ P7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 140µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
555 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
22W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
IPA60R360
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP001606068
2156-IPA60R360P7SXKSA1
ROCINFIPA60R360P7SXKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSC030N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
IPA65R150CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
BSP149 E6327
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
