الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPA60R600E6XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPA60R600E6XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12855259
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPA60R600E6XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 200µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
440 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
28W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
IPA60R600
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IPx60R600E6
مخططات البيانات
IPA60R600E6XKSA1
ورقة بيانات HTML
IPA60R600E6XKSA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
SP000797298
IFEINFIPA60R600E6XKSA1
IPA60R600E6
IPA60R600E6-DG
2156-IPA60R600E6XKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STF12NK60Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1388
DiGi رقم الجزء
STF12NK60Z-DG
سعر الوحدة
1.40
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STF10NM60N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
553
DiGi رقم الجزء
STF10NM60N-DG
سعر الوحدة
1.34
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPA60R600C6XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
500
DiGi رقم الجزء
IPA60R600C6XKSA1-DG
سعر الوحدة
0.86
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
STF11NM60ND
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
991
DiGi رقم الجزء
STF11NM60ND-DG
سعر الوحدة
1.81
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STF10N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2606
DiGi رقم الجزء
STF10N60M2-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVTFS5C460NLTAG
MOSFET N-CH 40V 19A/74A 8WDFN
N0300N-T1B-AT
MOSFET N-CH 30V 4.5A SC96-3
NDP6060L
MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3
MCH6431-TL-H
MOSFET N-CH 30V 5A 6MCPH