رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPA60R800CEXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPA60R800CEXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 5.6A TO220-FP
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 5.6A (Tc) 27W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
المخزون:
12800147
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPA60R800CEXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™ CE
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
800mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 170µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
373 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
27W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
IPA60R
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
2156-IPA60R800CEXKSA1-IT
INFINFIPA60R800CEXKSA1
SP001276046
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPI072N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
IPC302N15N3X1SA1
MOSFET N-CH 150V 1A SAWN ON FOIL
IPI60R165CPAKSA1
MOSFET N-CH 650V 21A TO262-3
