رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPA80R460CEXKSA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPA80R460CEXKSA2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 10.8A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 10.8A (Ta) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
المخزون:
12847214
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPA80R460CEXKSA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
460mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 680µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1600 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
34W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-31
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
IPA80R460
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP001313396
2156-IPA80R460CEXKSA2
ROCINFIPA80R460CEXKSA2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
R8002KNXC7G
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
948
DiGi رقم الجزء
R8002KNXC7G-DG
سعر الوحدة
0.78
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
R8009KNXC7G
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
1871
DiGi رقم الجزء
R8009KNXC7G-DG
سعر الوحدة
1.74
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HUF75631P3
MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
FDT1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4
FQD13N10TM
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
