رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPA90R800C3XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPA90R800C3XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-FP
وصف تفصيلي:
N-Channel 900 V 6.9A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
المخزون:
12800467
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPA90R800C3XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
900 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
800mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 460µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1100 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
33W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
IPA90R
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
SP000413718
IPA90R800C3
IPA90R800C3-DG
IFEINFIPA90R800C3XKSA1
2156-IPA90R800C3XKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPA90R800C3XKSA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
494
DiGi رقم الجزء
IPA90R800C3XKSA2-DG
سعر الوحدة
1.05
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
STF9N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1988
DiGi رقم الجزء
STF9N60M2-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPI06N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3
IPB60R380P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
IPD50N08S413ATMA1
MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3