رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPAN70R360P7SXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPAN70R360P7SXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 700 V 12.5A (Tc) 26.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
المخزون:
12801398
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPAN70R360P7SXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™ P7
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
700 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
360mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 150µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
517 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
26.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
IPAN70
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
IPAN70R360P7SXKSA1-DG
448-IPAN70R360P7SXKSA1
SP001682066
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STF13NM60ND
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
672
DiGi رقم الجزء
STF13NM60ND-DG
سعر الوحدة
1.78
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STFU15N80K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
995
DiGi رقم الجزء
STFU15N80K5-DG
سعر الوحدة
2.11
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB144N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK
BSZ160N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
IMW120R030M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
