رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPAW70R950CEXKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPAW70R950CEXKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO220-3-31
وصف تفصيلي:
N-Channel 700 V 7.4A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-FP
المخزون:
12805585
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPAW70R950CEXKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™ CE
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
700 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
950mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 150µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
328 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
68W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
IPAW70
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
450
اسماء اخرى
SP001619372
2156-IPAW70R950CEXKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPA70R900P7SXKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
386
DiGi رقم الجزء
IPA70R900P7SXKSA1-DG
سعر الوحدة
0.32
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP9NK60ZFP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STP9NK60ZFP-DG
سعر الوحدة
0.62
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP45N06S4L08AKSA2
MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
IRF7324D1TRPBF
MOSFET P-CH 20V 2.2A 8SO
IRFS7787TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
