رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB011N04NGATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB011N04NGATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
المخزون:
3890 قطع جديدة أصلية في المخزون
12800386
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB011N04NGATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
180A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 200µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
20000 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-7-3
العبوة / العلبة
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
رقم المنتج الأساسي
IPB011
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
IPB011N04NGATMA1DKR
IPB011N04NGATMA1CT
IPB011N04NGATMA1TR
SP000388298
IPB011N04N G-DG
IPB011N04N G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB65R095C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
IPB025N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPD390P06NMSAUMA1
MOSFET P-CH 60V TO252-3
