رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB026N10NF2SATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB026N10NF2SATMA1-DG
وصف:
TRENCH >=100V
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 162A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
44 قطع جديدة أصلية في المخزون
12976346
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB026N10NF2SATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
StrongIRFET™ 2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
162A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.65mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.8V @ 169µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
154 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7300 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB026N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
448-IPB026N10NF2SATMA1DKR
448-IPB026N10NF2SATMA1TR
SP005571706
448-IPB026N10NF2SATMA1CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IMW120R014M1HXKSA1
SIC DISCRETE
IPF024N10NF2SATMA1
TRENCH >=100V
IWM023N08NM5XUMA1
TRENCH 40<-<100V