رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB038N12N3GATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB038N12N3GATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
1575 قطع جديدة أصلية في المخزون
12800955
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB038N12N3GATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
120 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 270µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
13800 pF @ 60 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB038
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
IPB038N12N3 GTR
IPB038N12N3 GCT
IPB038N12N3 G
IPB038N12N3G
IPB038N12N3GATMA1CT
IPB038N12N3 GDKR-DG
IPB038N12N3 GCT-DG
IPB038N12N3 GDKR
IPB038N12N3 GTR-DG
IPB038N12N3GATMA1DKR
IPB038N12N3 G-DG
IPB038N12N3GATMA1TR
SP000694160
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB60R125CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
IPA60R099C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP
IPD122N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
