رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB065N15N3GATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB065N15N3GATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
المخزون:
3304 قطع جديدة أصلية في المخزون
12800644
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB065N15N3GATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
130A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
8V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 270µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7300 pF @ 75 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-7
العبوة / العلبة
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
رقم المنتج الأساسي
IPB065
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP000521724
IPB065N15N3GATMA1TR
IPB065N15N3 GCT
IPB065N15N3 GDKR
IPB065N15N3 GCT-DG
IPB065N15N3 GTR-DG
IPB065N15N3GATMA1DKR
2156-IPB065N15N3GATMA1TR
IPB065N15N3GATMA1CT
IPB065N15N3 G
IPB065N15N3G
IPB065N15N3 G-DG
IPB065N15N3 GDKR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB024N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
IPD15N06S2L64ATMA2
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
IPD60R1K5CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO252-3
