الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB075N04LGATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB075N04LGATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12801140
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB075N04LGATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 20µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
56W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB075N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
IPB075N04LGATMA1
ورقة بيانات HTML
IPB075N04LGATMA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
IPB075N04L G
IPB075N04L GTR-DG
IPB075N04LGATMA1TR
IPB075N04LGATMA1DKR
IPB075N04L G-DG
IPB075N04L GCT
IPB075N04L GCT-DG
IPB075N04LG
IPB075N04LGATMA1CT
SP000387943
IPB075N04L GDKR-DG
IPB075N04L GDKR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PSMN8R0-40BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
800
DiGi رقم الجزء
PSMN8R0-40BS,118-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
BUK9609-40B,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
5268
DiGi رقم الجزء
BUK9609-40B,118-DG
سعر الوحدة
0.71
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
BUK768R1-40E,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4792
DiGi رقم الجزء
BUK768R1-40E,118-DG
سعر الوحدة
0.60
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXTA120N04T2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTA120N04T2-DG
سعر الوحدة
1.73
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDB8447L
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
4750
DiGi رقم الجزء
FDB8447L-DG
سعر الوحدة
0.93
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPI90R340C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 15A TO262-3
IPD100N06S403ATMA2
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
IPD50R650CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
IPI80N06S3L-08
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3