رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB100N04S4H2ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB100N04S4H2ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
المخزون:
4996 قطع جديدة أصلية في المخزون
12801210
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB100N04S4H2ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 70µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7180 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
115W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3-2
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB100
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
IPB100N04S4-H2
2156-IPB100N04S4H2ATMA1
IPB100N04S4H2ATMA1CT
IPB100N04S4-H2-DG
IPB100N04S4H2ATMA1DKR
SP000711274
IPB100N04S4H2ATMA1TR
INFINFIPB100N04S4H2ATMA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD05N03LB G
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
IPP50R299CPHKSA1
MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
IPD80R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
