رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB108N15N3GATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB108N15N3GATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 83A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
3546 قطع جديدة أصلية في المخزون
12804746
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB108N15N3GATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
83A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
8V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10.8mOhm @ 83A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 160µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3230 pF @ 75 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
214W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB108
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
IPB108N15N3 GDKR
IPB108N15N3 GCT
IPB108N15N3GATMA1CT
IPB108N15N3 G-DG
SP000677862
IPB108N15N3 GTR-DG
IPB108N15N3G
IPB108N15N3 GCT-DG
IPB108N15N3 G
IPB108N15N3GATMA1DKR
IPB108N15N3GATMA1TR
2156-IPB108N15N3GATMA1
IPB108N15N3 GDKR-DG
INFINFIPB108N15N3GATMA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPN70R1K4P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
IRFL024Z
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
IPD75N04S406ATMA1
MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3