رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB117N20NFDATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB117N20NFDATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 84A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
المخزون:
900 قطع جديدة أصلية في المخزون
12800602
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB117N20NFDATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
84A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11.7mOhm @ 84A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 270µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6650 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3-2
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB117
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
IPB117N20NFDATMA1-DG
IPB117N20NFDATMA1CT
IPB117N20NFDATMA1TR
IPB117N20NFDATMA1DKR
SP001107232
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFA90N20X3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
16
DiGi رقم الجزء
IXFA90N20X3-DG
سعر الوحدة
5.14
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPC100N04S5L1R5ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
IPB036N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
IPD50R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
