رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB120N04S404ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB120N04S404ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
12802595
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB120N04S404ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 40µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4100 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
79W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB120
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP000952816
2156-IPB120N04S404ATMA1
INFINFIPB120N04S404ATMA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPB80N04S404ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2000
DiGi رقم الجزء
IPB80N04S404ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.93
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF3704ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
IRF3315
MOSFET N-CH 150V 27A TO220AB
IPD65R420CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
