رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB240N03S4LR8ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB240N03S4LR8ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 240A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
المخزون:
1000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12800779
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB240N03S4LR8ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
240A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
0.76mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 230µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
380 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
26000 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-7-3
العبوة / العلبة
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
رقم المنتج الأساسي
IPB240
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP000952928
448-IPB240N03S4LR8ATMA1DKR
IPB240N03S4LR8ATMA1-DG
448-IPB240N03S4LR8ATMA1TR
448-IPB240N03S4LR8ATMA1CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPC60R099C6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPN70R600P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
IPD048N06L3GBTMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
