رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPB320N20N3GATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPB320N20N3GATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
9363 قطع جديدة أصلية في المخزون
12803543
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPB320N20N3GATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
34A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
32mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 90µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2350 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
136W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB320
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP000691172
IPB320N20N3G
IPB320N20N3 GDKR
IPB320N20N3 GCT
IPB320N20N3GATMA1TR
IPB320N20N3GATMA1DKR
IPB320N20N3 G-DG
IPB320N20N3 G
IPB320N20N3 GDKR-DG
IPB320N20N3 GTR
IPB320N20N3GATMA1CT
IPB320N20N3 GTR-DG
IPB320N20N3 GCT-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFHM8329TRPBF
MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN
IRFU9120N
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
IPC020N10L3X1SA1
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
